氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610145266.4 （22）申请日 2016.03.15

（71）申请人 亚洲硅业(青海)有限公司

地址 810007 青海省西宁市城东经济开发区金硅路1号

（10）申请公布号 CN105784459A

（43）申请公布日 2016.07.20

（72）发明人 张福海;王生红;蔡延国;季静佳;陈兆峰;李晓琴;刘忠昌;王体虎 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

G01N1/44;

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（54）发明名称

氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理方法

（57）摘要

本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属

痕量杂质元素的前处理方法，其特征在于：多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂9连接，所述小型独立的密闭装置主体分内层接口13和外层接口14，内外层接口设有与样品瓶20相匹配的螺纹21，根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶20，外层螺纹侧壁设有卡扣22并与保温外罩15卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶

硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理，同时批量处理样品，且节省时间，实现了对前处理资源最大化利用。

法律状态

法律状态公告日

2016-07-20 2016-07-20 2016-07-20 2016-08-17 2016-08-17 2016-08-17 2019-05-21 2019-05-21 2020-04-21

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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权利要求说明书

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说明书

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