专利名称：熔丝结构的形成方法专利类型：发明专利
发明人：匡金,祝孔维,张明敏,赵志勇申请号：CN200910208834.0申请日：20091029公开号：CN102054765A公开日：20110511
摘要：一种熔丝结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有熔丝结构；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖熔丝结构并具有目标厚度；在所述第一介质层上形成刻蚀终止层；在所述刻蚀终止层上形成第二介质层；对所述第二介质层进行选择性刻蚀，在所述熔丝结构上方形成开口，所述开口底部露出刻蚀终止层。本发明有效的控制了熔丝结构上方残留的介质层的厚度，提高了器件的可靠性。
申请人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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