半导体图像传感器及其形成方法[发明专利]

来源：独旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体图像传感器及其形成方法专利类型：发明专利

发明人：严祥训,尹琪重,全宅洙申请号：CN201910535319.7申请日：20190620公开号：CN1110293A公开日：20200417

摘要：一种半导体图像传感器包括基板和在基板上具有沟槽的隔离绝缘图案。下透明电极提供在沟槽内。该下透明电极包括第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层提供在下透明电极上，上透明电极提供在有机光电层上。第一层可以接触沟槽的底部和侧表面，并且可以在其中具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层可以相对于第二层具有更高的透光效率，并且相对于第二层具有更低的电阻。

申请人：三星电子株式会社

地址：韩国京畿道

国籍：KR

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：翟然

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