专利名称：一种磁控溅射靶及磁体结构专利类型：实用新型专利发明人：臧龙杰
申请号：CN201820698624.9申请日：20180511公开号：CN208183066U公开日：20181204
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射靶及磁体结构，箱体内设有永久磁铁，永久磁铁与同轴励磁线圈连接，永久磁铁外侧设有冷却系统，永久磁铁上方设有励磁线圈，永久磁铁与铜靶连接，本实用新型具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点。
申请人：昆山世高新材料科技有限公司
地址：215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇环庆路2488号5号房
国籍：CN
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