专利名称：薄膜的形成方法及成膜装置专利类型：发明专利
发明人：长谷部一秀,柿本明修申请号：CN201110109132.4申请日：20110428公开号：CN102237267A公开日：20111109
摘要：本发明提供一种薄膜的形成方法及成膜装置。在能够真空排气的处理容器内在被处理体的表面形成含有杂质的硅膜的薄膜的形成方法中，通过反复交替进行以由硅和氢构成的硅烷系气体吸附于被处理体的表面的状态向处理容器内供给该硅烷系气体的第1气体供给工序、向处理容器内供给含有杂质的气体的第2气体供给工序，来以非晶体状态形成含有杂质的硅膜。由此，即使在较低温的条件下也能够形成埋入特性良好的非晶体状态的含有杂质的硅膜。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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