(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 207321229 U(45)授权公告日 2018.05.04
(21)申请号 201721063372.4(22)申请日 2017.08.24
(73)专利权人 沈阳卡利德科技有限公司
地址 110000 辽宁省沈阳市和平区中华路
121甲号(1520)(72)发明人 陈吉帅 (51)Int.Cl.
H03K 19/0175(2006.01)
权利要求书1页 说明书3页 附图1页
CN 207321229 U(54)实用新型名称
一种电路(57)摘要
本实用新型涉及一种电路。该一种电路包括:输入端和输出端,所述输入端连接电阻R2和光耦输入端G1,所述VCC与光耦输入端G1之间依次设有电阻R1和LED1,所述光耦输出端G1与电容C1相连,所述电容C1连接电阻R3、压控晶体管Q1、整流桥D1,所述输出端包括A端和B端,所述A端和B端分别与整流桥D1相连,所述整流桥D1与压控晶体管Q1相连,所述压控晶体管Q1与电阻R3相连。本实用新型提供的一种电路,输入端输入高电平、高阻或悬空,控制输出端导通;输入端输入低电平,控制输出端断开;输入端与输出端完全隔离;输出端具备断电导通功能,常闭时无需内部系统电源参与;输出端对于外部系统无极性要求。
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权 利 要 求 书
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1.一种电路,其特征在于,包括:输入端、输出端、VCC、光耦输入端G1,所述输入端连接电阻R2和光耦输入端G1,所述VCC与光耦输入端G1之间依次设有电阻R1和LED1,所述光耦输出端G1与电容C1相连,所述电容C1连接电阻R3、压控晶体管Q1、整流桥D1,所述输出端包括A端和B端,所述A端和B端分别与整流桥D1相连,所述整流桥D1与压控晶体管Q1相连,所述压控晶体管Q1与电阻R3相连。
2.根据权利要求 1 所述的一种电路,其特征在于,所述输入端高电平、高阻或悬空,VCC、电阻R1、光耦输入端G1、输入端未形成回路,所述压控晶体管Q1端电平由R2端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。
3.根据权利要求 1或2 所述的一种电路,其特征在于,所述输入端为低电平,VCC、电阻R1、光耦输出端G1、输入端形成回路,光耦输出端G1导通,所述压控晶体管Q1端电平由光耦输出端G1端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。
4.根据权利要求 1 所述的一种电路,其特征在于,所述A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1,A端和B端不形成回路,A端和B端之间断开。
5.根据权利要求 1 所述的一种电路,其特征在于,所述A端有电压输入时,A端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,A端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端B,形成回路,A和B之间导通。
6.根据权利要求 1 所述的一种电路,其特征在于,所述B端有电压输入时,B端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,B端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端A,形成回路, B和A之间导通。
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说 明 书一种电路
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技术领域
[0001]本实用新型涉及一种电路,具体的说是应用在控制电路回路通断且在系统无源时,输出端常闭型的电路。背景技术
[0002]目前,控制电路通断的电路在工作中存在着许多弊端,电路的输入端与输出端不完全隔离;输出端不具备断电导通功能,需内部系统电源参与;输出端对于外部系统有极性要求。现有的电路存在着使用不便的问题。发明内容
[0003]针对现有技术的上述缺陷,本实用新型提供的一种电路,解决了上述技术问题,提供一种输入端输入高电平、高阻或悬空,控制输出端导通;输入端输入低电平,控制输出端断开;输入端与输出端完全隔离;输出端具备断电导通功能,常闭时无需内部系统电源参与;输出端对于外部系统无极性要求的电路。[0004]为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:[0005]一种电路包括:输入端、输出端、VCC、光耦输入端G1,所述输入端连接电阻R2和光耦输入端G1,所述VCC与光耦输入端G1之间依次设有电阻R1和LED1,所述光耦输出端G1与电容C1相连,所述电容C1连接电阻R3、压控晶体管Q1、整流桥D1,所述输出端包括A端和B端,所述A端和B端分别与整流桥D1相连,所述整流桥D1与压控晶体管Q1相连,所述压控晶体管Q1与电阻R3相连。[0006]其中,所述输入端为高电平、高阻或悬空,VCC、电阻R1、光耦输入端G1、输入端未形成回路,所述压控晶体管Q1端电平由R2端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。[0007]其中,所述输入端为低电平,VCC、电阻R1、光耦输入端G1、输入端形成回路,光耦输出端G1导通,所述压控晶体管Q1端电平由光耦输出端G1端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。[0008]其中,所述A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1,A端和B端不形成回路,A端和B端之间断开。
[0009]其中,所述A端有电压输入时,A端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,A端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端B,形成回路,A和B之间导通。[0010]其中,所述B端有电压输入时,B端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,B端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端A,形成回路, B和A之间导通。
[0011]本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的一种电路,输入端输入高电平、高阻或悬空,控制输出端导通;输入端输入低电平,控制输出端断开;输入端与输出端完全隔离;输出端具备断电导通功能,常闭时无需内部系统电源参与;输出端对于外部系统无极性要
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说 明 书
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求。
[0012]
为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容,请参阅以下有关本实用新
型的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
[0013]下面结合附图,通过对本实用新型的具体实施方式详细描述,将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0014]图1是本实用新型一种电路的电路示意图。
具体实施方式
[0015]为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果,以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。[0016]请参阅图1,一种电路包括:输入端、输出端、VCC、光耦输入端G1,所述输入端连接电阻R2和光耦输入端G1,所述VCC与光耦输入端G1之间依次设有电阻R1和LED1,所述光耦输出端G1与电容C1相连,所述电容C1连接电阻R3、压控晶体管Q1、整流桥D1,所述输出端包括A端和B端,所述A端和B端分别与整流桥D1相连,所述整流桥D1与压控晶体管Q1相连,所述压控晶体管Q1与电阻R3相连。[0017]进一步,所述输入端为高电平、高阻或悬空,VCC、电阻R1、光耦输入端G1、输入端未形成回路,所述压控晶体管Q1端电平由R2端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。[0018]进一步,所述输入端为低电平,VCC、电阻R1、光耦输入端G1、输入端形成回路,光耦输出端G1导通,所述压控晶体管Q1端电平由光耦输出端G1端提供,A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1。[0019]进一步,所述A端和B端导通必须经过压控晶体管Q1,A端和B端不形成回路,A端和B端之间断开。
[0020]进一步,所述A端有电压输入时,A端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,A端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端B,形成回路,A和B之间导通。[0021]进一步,所述B端有电压输入时,B端的电压经过整流桥D1、电阻R3使晶体管的栅极Q1有电压,压控晶体管Q1导通,B端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1、Q1、D1回到输出端A,形成回路, B和A之间导通。[0022]工作原理:
[0023]输入端为高电平、高阻或悬空,VCC、R1_12、G1_12、输入端未形成回路,光耦输出端G1_43截止,Q1_1端电平由R3_2端提供,且A和B之间导通必须经过Q1_32;[0024]当A端有电压输入时,A端的电压经过整流桥D1_23(D1_21截止)、电阻R3_12使晶体管的栅极Q1_1有电压,压控晶体管Q1_32导通,A端的输入的电压信号经过整流桥二极管D1_23(D1_21截止)、Q1_32、D1_14(D1_2电位高,电压沿D1_14传递)回到输出端B,形成回路,实现A和B之间导通;[0025]同理:当B端有电压输入时,B端的电压经过整流桥D1_43(D1_41截止)、电阻R3_12使晶体管的栅极Q1_1有电压,压控晶体管Q1_32导通,B端的输入的电压信号经过整流桥二
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说 明 书
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极管D1_43(D1_41截止)、Q1_32、D1_12(D1_4电位高,电压沿D1_12传递)回到输出端A,形成回路,实现B和A之间导通;[0026]输入端为低电平,VCC、R1_12、G1_12、输入端形成回路,光耦输出端G1_43导通,Q1_1端电平由G1_4端提供,且A和B之间导通必须经过Q1_32;[0027]当A端有电压输入时,A端电位高于B端,由于电位传递(D1_14),G1_4电位低(G1_43导通,能将输出端B低电位传递),晶体管电压被拉低,晶体管Q1_32截止,Q1_32断路;[0028]当B端有电压输入时,B端电位高于A端,由于电位传递(D1_12),G1_4电位低(G1_43导通,能将输出端B低电位传递),晶体管电压被拉低,晶体管Q1_32截止,Q1_32断路;[0029]由于A和B之间导通必须经过Q1_32;故A端和B端不能形成回路,实现A和B之间断开。
[0030]以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
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说 明 书 附 图
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