专利名称：硅晶片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：古屋田荣,桥井友裕,村山克彦,高石和成,加藤健夫申请号：CN200610159243.5申请日：20060815公开号：CN1917151A公开日：20070221
摘要：本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、和磷酸构成，是上述氢氟酸、和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。
申请人：株式会社上睦可
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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